沈阳铜包钢接地线采用钢和锌制成的复合型材料可塑性较强，使锌包钢接地极适应了不同的应用环境。锌包钢接地极安装方便，配备焊接模具及焊粉，可根据现场需要进行简单操作，便可达到焊接工艺要求。锌包钢接地极的镀锌层为牺牲阳极体，优良铜包钢接地线具有良好阴极保护的功能，可将防雷接地及阴极保护措施合二为一，避免了接地装置与阴极保护重复投资和施工的浪费的现象，降低了经济投入。锌包钢接地极表面覆盖了金属锌，锌的导电性能是钢的2.5倍，在钢芯的基础上，镀锌层增加了接地极的导电性能。

为了防止铜包钢绞线雷击产生过电压，电源继续推动一个较大的电流灌入短路点，形成高热而起火。这种事故通常可以通过一个与压敏电阻串联的热熔接点来避免。热熔接点应与电阻体有良好的热耦合，当最大冲击电流流过时不会断开，但当温度超过电阻体上限工作温度时即断开。研究结果表明，若压敏电阻存在着制造缺陷，优良铜包钢接地线易发生早期失效，强度不大的电冲击的多次作用，也会加速老化过程，使老化失效提早出现。铜包钢绞线和硒光电池一样，雪崩二极管处理电涌的能力十分有限。各种设备的绝缘水平应能满足电压对该设备的绝缘要求，沈阳铜包钢接地线在设备定货和出厂试验时应严格把关，当电涌很大时，按照规程要求确保设备绝缘耐压水平，建筑物本身的防雷性能直接影响到内部的电气设备的防雷，因此首先必须重视建筑物本体的防雷。

锌包钢复合接地材料以低碳钢为钢芯，具有钢的强度和热稳定性，保证接地泄流功能。锌作为覆层金属，其导电性能是钢的2倍，导电性更优。 铜包钢接地线生产厂家依据《电工材料手册》钢的相对导电率是银的16%，锌的相对导电率是银的27%，银的电阻率= 0.016Ω.mm2/m，经计算钢的电阻率为 0.1Ω.mm2/m；锌的电阻率 0.05Ω.mm2/m。锌作为覆层金属，具有较强的耐腐蚀性，大大延长使用寿命。依据《GB50726-2011》防腐规范及 《阴极保护工程手册》，锌在一般土壤中每10年的年平均腐蚀厚度为0.06mm，锌包钢材料外覆层厚度为3mm以上，则平均寿命为50年。 沈阳铜包钢接地线由于一定厚度的锌层，可以作为牺牲阳极体，保护地网、地下金属构筑物和相关钢铁设备等。可以成卷供货（100米/卷），减少接头，连接采用放热焊接法，焊接后不需要做任何防腐防锈处理，大大提高施工效率，缩减施工周期。

铜包钢绞线没有经过适当的线路衰减，由于它较尖，即这个电容器的两极板正对面积很小，电容也就很小，也就是说它所能容纳的电荷很少。而它又聚集了大部分电荷。所以，当云层上电荷较多时，避雷针与云层之间的空气就很容易被击穿，成为导体。这样，带电云层与避雷针形成通路，而避雷针又是接地的。避雷针就可以把云层上的电荷导入大地，使其不对高层建筑构成危险。沈阳铜包钢接地线防护等级又不匹配，一定要超过屋子的最高点，一般的布置方式是在房顶周围用钢筋围一圈，比如只用一个20kV做为线路防雷防护，四角各立一个1到2米的钢筋，铜包钢接地线生产厂家在没有人出入的一侧用钢筋接到地面，在接地位置焊块一平米左右的铁板。而雷电波侵入超过60kV，这样的结果就是防雷器被击坏，埋入地下。这样肯定安全。避雷针就聚集了大部分电荷。

沈阳铜包钢接地线制造工艺特点： 采用电镀生产工艺，实现铜与钢的高度结合。外表铜层为含量99.99%电解铜份分子组成，它既克服了套管法生产工艺存在的原电池反应的弊端，又解决了热浸连铸工艺存在的铜层纯度不足及表面铜层阴阳面等弊端。 防腐性能优良： 铜包钢扁钢表明铜层较厚且为99.99%的电解铜分子，平均厚度大于0.25mm，因而耐腐蚀性强，使用寿命长达50年以上。导电性能更佳 ：由于表层铜层由99.99%的电解铜分子组成，因而具有优良的导电性能，自身电阻远远低于常规材料。优良铜包钢接地线使用范围更广：铜包钢扁钢适用于不同湿度、温度及PH值的土壤条件。安装方便快捷： 配件齐全，使用专用连接管或采用诚安热熔焊剂连接，接头牢固，安装便捷，大大提高了施工效率。建造成本降低 ：铜包钢扁钢对比传统上采用纯铜材料接地，成本大幅度下降。

铜包钢接地棒的一般技术参数为，铜层结合度：经附着力试验，除虎口钳钳口咬合外现剥落铜层，其余部分铜钢结合良好，未出现剥离现象。沈阳铜包钢接地线可以按要求的长度连接接地棒，接地棒可以深入地下30米，不受任何土壤电阻率及接地电阻的气候条件的影响，铜层厚度0.25mm。铜层可塑性：接地棒弯曲 30 度时，折角内外缘无裂缝现象；抗拉强度≥600N / mm2；平直度误差≤ 1mm/m，铜包钢接地棒的表层金属为99.9%无氧铜。优良铜包钢接地线铜层厚度分别为：0.127mm、0.25mm、0.33mm、0.50mm、1.0mm等多种规格；铜层结合力实验持续体温300℃达1小时以上后急冷，铜层不剥落，耐腐蚀性测试实验将该接地棒放入浓度10%的硝酸液中浸泡90小时以上，腐蚀失重不大于15%，电阻率低于0.059Ωmm，从而满足特殊场合低电阻的要求。